Vishay N Kanal, MOSFET, 9.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- RS-artikelnummer:
- 542-9664
- Distrelec artikelnummer:
- 301-91-576
- Tillv. art.nr:
- IRFI640GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
46,14 kr
(exkl. moms)
57,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 914 enhet(er) levereras från den 03 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 46,14 kr |
| 10 - 49 | 39,20 kr |
| 50 - 99 | 36,85 kr |
| 100 - 249 | 34,38 kr |
| 250 + | 32,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 542-9664
- Distrelec artikelnummer:
- 301-91-576
- Tillv. art.nr:
- IRFI640GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRFI | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.63mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Höjd | 9.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRFI | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.63mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Höjd 9.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 9.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.4 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFI