Vishay N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFZ
- RS-artikelnummer:
- 541-1685
- Distrelec artikelnummer:
- 171-17-435
- Tillv. art.nr:
- IRFZ14PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
19,94 kr
(exkl. moms)
24,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 166 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 1 428 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 19,94 kr |
| 10 - 49 | 17,47 kr |
| 50 - 99 | 16,58 kr |
| 100 - 249 | 15,23 kr |
| 250 + | 14,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-1685
- Distrelec artikelnummer:
- 171-17-435
- Tillv. art.nr:
- IRFZ14PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IRFZ | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IRFZ | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.01mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V till 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFZ
- Vishay N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFZ
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 17 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MTP3055VL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET