STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247-4, STW65N
- RS-artikelnummer:
- 287-7055P
- Tillv. art.nr:
- STW65N045M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*
1 644,30 kr
(exkl. moms)
2 055,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 + | 164,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 287-7055P
- Tillv. art.nr:
- STW65N045M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 54A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Serie | STW65N | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 312W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 54A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Serie STW65N | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 312W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics Power MOSFET is based on the most innovative super junction MDmesh M9 technology. The silicon based M9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.
Higher dv/dt capability
Excellent switching performance
Easy to drive
100 percent avalanche tested