Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 281-6034
- Tillv. art.nr:
- IRFP460PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 281-6034
- Tillv. art.nr:
- IRFP460PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.27Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 280W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 210nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.25mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS-compliant | |
| Bredd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.27Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 280W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 210nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.25mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS-compliant | ||
Bredd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Vishay power MOSFETs offer fast switching, rugged design and low on-resistance. It is cost-effective.
Repetitive avalanche rated
Fast switching
Ease of paralleling
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP448
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP450A
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, D
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh