Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 36.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SiSS5623DN

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 36.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SiSS5623DN
RS-artikelnummer
280-0001

Var (i ett paket med 4)

115,36 kr

(exkl. moms)

144,20 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
280-0000
Tillv. art.nr:
SISS5623DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

1212-8S

Serie

SiSS5623DN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.046Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

56.8W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Vishay MOSFET är en P-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.

Ny generation av effekt-MOSFET

100 procent Rg- och UIS-testat

FOM-produkt med ultralåg RDS x Qg

Helt blyfri (Pb)-enhet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.