Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

43 035,00 kr

(exkl. moms)

53 793,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +14,345 kr43 035,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9950
Tillv. art.nr:
SIR5607DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SiR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.007Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

112nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Vishay MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

Less voltage drop

Reduces conduction loss

Fully lead (Pb)-free device

Relaterade länkar