STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 92 A Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, STW
- RS-artikelnummer:
- 275-1382P
- Tillv. art.nr:
- STW65N023M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 10 enheter (levereras i ett rör)*
1 460,40 kr
(exkl. moms)
1 825,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 285 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 509 | 146,04 kr |
| 510 - 1019 | 144,26 kr |
| 1020 + | 142,52 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 275-1382P
- Tillv. art.nr:
- STW65N023M9-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 92A | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Serie | STW | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 463W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 230nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5mm | |
| Bredd | 15.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 92A | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Serie STW | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 463W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 230nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5mm | ||
Bredd 15.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET är baserad på den mest innovativa super-junction MDmesh M9-tekniken, lämplig för MOSFET med medel- eller högspänning med mycket låg RDS(on) per område. Den silikonbaserade M9-tekniken drar nytta av en tillverkningsprocess med flera avlopp som möjliggör en förbättrad enhetsstruktur. Den resulterande produkten har en av de lägsta påslagningsresistanserna och reducerade grindladdningsvärden, bland alla silikonbaserade snabbkopplande superkopplings-effekt-MOSFET-transistorer, vilket gör den särskilt lämplig för applikationer som kräver överlägsen effekttäthet och enastående effektivitet.
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Lätt att köra
100-procentigt lavintestat