Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V N, 3 Ben, PG-TO-220, IPP
- RS-artikelnummer:
- 273-7465
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-652
- Tillv. art.nr:
- IPP052NE7N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
39,87 kr
(exkl. moms)
49,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- Dessutom levereras 16 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 19,935 kr | 39,87 kr |
| 10 - 18 | 16,575 kr | 33,15 kr |
| 20 - 98 | 16,35 kr | 32,70 kr |
| 100 - 248 | 13,16 kr | 26,32 kr |
| 250 + | 12,32 kr | 24,64 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7465
- Distrelec artikelnummer:
- 304-41-652
- Tillv. art.nr:
- IPP052NE7N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Serie | IPP | |
| Kapseltyp | PG-TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 68nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.363mm | |
| Längd | 16mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 23.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Serie IPP | ||
Kapseltyp PG-TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.2mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 68nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.363mm | ||
Längd 16mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 23.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET har optimerad teknik för synkron likriktering med utmärkt grindladdning. Denna MOSFET är idealisk för högfrekvensomkoppling och DC-till-DC-omvandlare. Det är 100-procent avalanche-testat.
Halogenfria
Blyplätering utan bly
RoHS-kompatibel
Mycket lågt motstånd vid påverkan
N-kanal och normal nivå
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V N, 3 Ben, PG-TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V N, 3 Ben, PG-TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 84 A, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.9 A 500 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V, TO-220, IPP
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IPP AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 36.23 A 700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO220-3, IPP