Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 650 V Förbättring, 10 Ben, PG-HDSOP-10-1, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1700 enheter)*

88 699,20 kr

(exkl. moms)

110 874,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1700 +52,176 kr88 699,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2787
Tillv. art.nr:
IPDD60R050G7XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

57A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

PG-HDSOP-10-1

Typ av fäste

Yta

Antal ben

10

Maximal drain-källresistans Rds

50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

68nC

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons MOSFET är lätt att använda och har de högsta kvalitetsstandarderna. Det är möjligt att öka skalfördelarna genom användning i PFC- och PWM-topologier i applikationen. Det minskar parasitisk källinduktans genom Kelvin-källa förbättrar effektiviteten genom snabbare omkoppling och användarvänlighet tack vare mindre ringning.

Totalt blyfritt

RoHS-kompatibel

Enkla visuella inspektionsledningar

Förbättrade termiska prestanda

Lämplig för hård och mjuk omkoppling

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.