Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, BSC
- RS-artikelnummer:
- 273-2632
- Tillv. art.nr:
- BSC0902NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
79,52 kr
(exkl. moms)
99,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 90 enhet(er) från den 09 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,904 kr | 79,52 kr | - |
| 50 - 495 | 14,292 kr | 71,46 kr | 10% |
| 500 - 995 | 10,64 kr | 53,20 kr | 33% |
| 1000 - 2495 | 10,326 kr | 51,63 kr | 35% |
| 2500 + | 10,08 kr | 50,40 kr | 36% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2632
- Tillv. art.nr:
- BSC0902NSATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 4.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Längd | 6.1mm | |
| Höjd | 350μm | |
| Bredd | 5.35mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie BSC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 4.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Längd 6.1mm | ||
Höjd 350μm | ||
Bredd 5.35mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSC-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 100 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC0902NSATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningstransistor som levereras i ett 8-stifts TDSON-paket för ytmontering. Den är utformad för att omkoppla och styra höga strömmar vid låga spänningar samtidigt som den arbetar över ett brett omgivningsområde. Enheten är lämplig för tillämpningar som kräver grindstyrning på logiknivå och ett kompakt kortfotavtryck, och den uppfyller RoHS-miljöstandarder.
Funktioner och fördelar:
• 2.6 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid drift med hög ström
• 4,5 V maximal grindstyrning möjliggör omkoppling på logiknivå med låg spänning
• Kontinuerlig dräneringskapacitet på 100 A stöder höga strömbelastningar
• Arbetsområde -55 °C till +150 °C upprätthåller prestanda i tuffa temperaturer
• TDSON-ytpaket möjliggör kompakt effekttäthet på kortnivå
• 4,5 V maximal grindstyrning möjliggör omkoppling på logiknivå med låg spänning
• Kontinuerlig dräneringskapacitet på 100 A stöder höga strömbelastningar
• Arbetsområde -55 °C till +150 °C upprätthåller prestanda i tuffa temperaturer
• TDSON-ytpaket möjliggör kompakt effekttäthet på kortnivå
Användningsområden
• Lämplig för DC-strömfördelning i lågspänningssystem
• Idealisk för motordrivare som kräver högströmsväxling
• Används med batterihanteringskretsar i kompakta enheter
• Kan användas för synkronlikriktelse i effektomvandlare
• Användbar i kretskortsmoduler för omkoppling av högströmslaster
• Idealisk för motordrivare som kräver högströmsväxling
• Används med batterihanteringskretsar i kompakta enheter
• Kan användas för synkronlikriktelse i effektomvandlare
• Användbar i kretskortsmoduler för omkoppling av högströmslaster
Vilket grindspänningsområde bör observeras för tillförlitlig drift?
Gate Drive bör inte överskrida den angivna maxspänningen på 4,5 V för att undvika grindbelastning.
Hur påverkar förpackningen värmehanteringen på kretskortet?
TDSON 8-stifts ytpaket ger en kompakt termisk väg som kräver ett lämpligt kopparområde för värmeavledning.
Är denna enhet lämplig för arbetsflöden för fordonskvalificering?
Enheten är inte specificerad för att uppfylla fordonsstandarder trots sin breda temperaturkapacitet.
Vilket kanalledningsläge använder enheten?
Den fungerar i förstärkningsläge som en N-kanalstransistor.
Vilken miljöövervakning uppfyller den?
Den uppfyller RoHS-begränsningar för farliga ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 120 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC