Vishay N Kanal, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 268-8353
- Tillv. art.nr:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
180,78 kr
(exkl. moms)
225,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 025 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 7,231 kr | 180,78 kr |
| 50 - 75 | 7,087 kr | 177,18 kr |
| 100 - 225 | 5,385 kr | 134,63 kr |
| 250 - 975 | 5,286 kr | 132,15 kr |
| 1000 + | 3,382 kr | 84,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8353
- Tillv. art.nr:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSOP-6 | |
| Serie | SQ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.054Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSOP-6 | ||
Serie SQ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.054Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 4W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay fordons-N-kanal TrenchFET-effekt-MOSFET är en blyfri och halogenfri enhet med enkel konfiguration MOSFET och ytmonterad enhetstyp. Den är oberoende av drifttemperatur.
AEC Q101-kvalificerade
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7 A 60 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.4 A 40 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 7 A 60 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, SQ3426CEEV AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -8 A -20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -8 A -12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -5.3 A -60 V Förbättring, 6 Ben, TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101