ROHM N Kanal, MOSFET, 24 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 10 enheter (levereras i ett rör)*

955,60 kr

(exkl. moms)

1 194,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 320 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
10 - 2495,56 kr
25 - 4993,59 kr
50 - 9991,72 kr
100 +80,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
266-3900P
Tillv. art.nr:
SCT3105KRC15
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Kanalläge

Förbättring

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM MOSFET är en SiC MOSFET med en grindstruktur optimerad för servernätaggregat, solenergiomvandlare och EV-laddstationer som kräver hög effektivitet. Ett nytt 4-stiftspaket används som separerar ström- och drivkällans terminaler, vilket gör det möjligt att maximera höghastighetskopplingsprestanda. Detta förbättrar särskilt PÅ-förlusten, och som ett resultat kan de totala PÅ- och AV-förlusterna minskas med så mycket som 35 % jämfört med konventionella 3-stiftspaket.

Låg påslagningsresistans

Snabb kopplingshastighet

Enkel att driva

Blyplätering utan bly

Snabb omvänd återhämtning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.