Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -500 mA 40 V MOSFET, 3 Ben, TO-92, VP0104
- RS-artikelnummer:
- 264-8949P
- Tillv. art.nr:
- VP0104N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras i en påse)*
504,55 kr
(exkl. moms)
630,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 24 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 10,091 kr |
| 100 - 240 | 8,019 kr |
| 250 - 490 | 7,851 kr |
| 500 + | 7,706 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8949P
- Tillv. art.nr:
- VP0104N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -500mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | VP0104 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -500mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie VP0104 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad source-drain-diod
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning