Microchip N Kanal, MOSFET, 0.6 A 100 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, VN2110
- RS-artikelnummer:
- 264-8943P
- Tillv. art.nr:
- VN2110K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
315,85 kr
(exkl. moms)
394,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 6,317 kr |
| 100 - 240 | 3,416 kr |
| 250 - 990 | 3,36 kr |
| 1000 + | 3,282 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8943P
- Tillv. art.nr:
- VN2110K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | VN2110 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Längd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie VN2110 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 0.36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Längd 2.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning