Microchip N Kanal, MOSFET, 350 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN0106
- RS-artikelnummer:
- 264-8941P
- Tillv. art.nr:
- VN0106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 341,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras i en påse)*
400,40 kr
(exkl. moms)
500,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 190 enhet(er) från den 13 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 8,008 kr | - |
| 100 - 240 | 4,592 kr | 341,60 kr |
| 250 - 490 | 4,491 kr | 879,25 kr |
| 500 + | 4,379 kr | 1 814,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8941P
- Tillv. art.nr:
- VN0106N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | VN0106 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie VN0106 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Fri från sekundära avbrott
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad source-drain-diod
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning