Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -200 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 264-8932P
- Tillv. art.nr:
- TP5335K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 22%
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
311,35 kr
(exkl. moms)
389,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 6,227 kr | - |
| 100 - 240 | 4,838 kr | 22% |
| 250 - 990 | 4,749 kr | 23% |
| 1000 + | 4,648 kr | 25% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8932P
- Tillv. art.nr:
- TP5335K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 350V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.36W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 350V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.36W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en avancerad vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkning av silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapacitet för bipolära transistorer och med hög ingångsimpedans och positiv temperaturkoefficient som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett spektrum av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Hög ingångsimpedans och hög förstärkning
Låga effektkrav för drivning
Enkel synkronisering
Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter
Utmärkt värmestabilitet
Integrerad source-drain-diod
Fri från sekundära avbrott