Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -175 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TP0620
- RS-artikelnummer:
- 264-8926
- Tillv. art.nr:
- TP0620N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 påse med 1000 enheter)*
19 085,00 kr
(exkl. moms)
23 856,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per påse* |
|---|---|---|
| 1000 + | 19,085 kr | 19 085,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8926
- Tillv. art.nr:
- TP0620N3-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -175A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | TP0620 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -175A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie TP0620 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips P-kanal MOSFET med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och en välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Låg tröskel (-2,4 V max.)
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans (85 pF normalt)
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage
Relaterade länkar
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -175 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TP0620
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 175 mA 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 175 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, TN2540
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP3203
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET 16.5 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, LP0701
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0106
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 140 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VP0109