Microchip N Kanal, MOSFET, 230 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23, TN5335
- RS-artikelnummer:
- 264-8925P
- Tillv. art.nr:
- TN5335K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
494,50 kr
(exkl. moms)
618,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 430 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 90 | 9,89 kr |
| 100 - 240 | 8,064 kr |
| 250 - 990 | 7,907 kr |
| 1000 + | 7,739 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-8925P
- Tillv. art.nr:
- TN5335K1-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 230mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 350V | |
| Serie | TN5335 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15Ω | |
| Kanalläge | MOSFET | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 230mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 350V | ||
Serie TN5335 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15Ω | ||
Kanalläge MOSFET | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Microchips N-kanal MOSFET med låg tröskelförstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Den här enheten är karakteristisk för alla MOS-strukturer och är fri från termiskt avbrott och termiskt inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET-transistorer är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög spänningsbrytning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Lågt tröskelvärde
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage