ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RUR040N02HZG
- RS-artikelnummer:
- 264-3887
- Tillv. art.nr:
- RUR040N02HZGTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
72,35 kr
(exkl. moms)
90,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 810 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 7,235 kr | 72,35 kr |
| 50 - 90 | 7,101 kr | 71,01 kr |
| 100 - 240 | 5,566 kr | 55,66 kr |
| 250 - 990 | 5,443 kr | 54,43 kr |
| 1000 + | 4,256 kr | 42,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-3887
- Tillv. art.nr:
- RUR040N02HZGTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-346 | |
| Serie | RUR040N02HZG | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-346 | ||
Serie RUR040N02HZG | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ROHM småsignal MOSFET är en MOSFET för omkopplingstillämpningar, detta är en mycket tillförlitlig produkt av fordonskvalitet som är kvalificerad enligt AEC-Q101. Det är ett litet paket för ytmontering.
1,5 V-drivning
Låg påslagningsresistans
Inbyggd G-S-skyddsdiod
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RUR040N02HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR025N05HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR010N10HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR020N06HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR025N03HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RTR020N05HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RTR025N05HZG