ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR010N10HZG
- RS-artikelnummer:
- 264-3842
- Tillv. art.nr:
- RSR010N10HZGTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 264-3842
- Tillv. art.nr:
- RSR010N10HZGTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | RSR010N10HZG | |
| Kapseltyp | SOT-346 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 520mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie RSR010N10HZG | ||
Kapseltyp SOT-346 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 520mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
ROHM småsignal-MOSFET är en MOSFET med låg påslagningsresistans för fordonsindustrin, lämplig för DC/DC-omvandlartillämpningar. Det är ett litet ytmonterat paket, blyfri plätering; RoHS-kompatibel och AEC-Q101-kvalificerad.
Låg påslagningsresistans
Inbyggd G-S-skyddsdiod
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR010N10HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR025N05HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR020N06HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RSR025N03HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RTR020N05HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RTR025N05HZG
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RUR040N02HZG