ROHM N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-346, RQ5E040TN

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

7 056,00 kr

(exkl. moms)

8 820,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,352 kr7 056,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
264-3828
Tillv. art.nr:
RQ5E040TNTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

RQ5E040TN

Kapseltyp

SOT-346

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

48mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.9nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TH
ROHM småsignal MOSFET är en MOSFET med låg påslagningsresistans, lämplig för omkoppling, det är ett litet ytmonterat paket. Blyfri plätering; RoHS-kompatibel och AEC-Q101-kvalificerad.

Inbyggd G-S-skyddsdiod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.