ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P200SN

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 20%

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

961,00 kr

(exkl. moms)

1 201,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 320 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 9519,22 kr-
100 - 24515,30 kr20%
250 - 99515,03 kr21%
1000 +12,612 kr34%

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
264-3818P
Tillv. art.nr:
RD3P200SNTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

RD3P200SN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

46mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

20W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
ROHM Power MOSFET med lågt motstånd på, lämplig för omkoppling, det är drivkretsar kan vara enkla och blyfria och RoHS-kompatibla.

Snabb kopplingshastighet

Parallell användning är enkel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.