Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- RS-artikelnummer:
- 262-5873
- Tillv. art.nr:
- IPF010N06NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
17 418,40 kr
(exkl. moms)
21 772,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 21,773 kr | 17 418,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 262-5873
- Tillv. art.nr:
- IPF010N06NF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 293A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | IPF | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 293A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie IPF | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons N-kanals effekttransistor är optimerad för ett brett spektrum av applikationer och är 100 procent avalanche-testad.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 223 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 302 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 282 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 289 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 232 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IPF
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 293 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 282 A 80 V N, TO-263, IPF
