STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 800 V Förbättring, Tejp och rulle
- RS-artikelnummer:
- 261-5045P
- Tillv. art.nr:
- STD80N450K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
293,40 kr
(exkl. moms)
366,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 218 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 99 | 29,34 kr |
| 100 - 499 | 20,83 kr |
| 500 - 2499 | 20,61 kr |
| 2500 + | 20,27 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 261-5045P
- Tillv. art.nr:
- STD80N450K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | Tejp och rulle | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 380mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp Tejp och rulle | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 380mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics högspännings-N-kanal-effekt-MOSFET är utformad med MDmesh K5-teknik baserad på en innovativ egenutvecklad vertikal struktur. Resultatet är en dramatisk minskning av påslagningsresistans och ultralåg grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.
Världens bästa RDS(on) x-område
Världens bästa FOM (meritfaktor)
Ultralåg grindladdning
100 procent avalanche-testad
Zener-skyddad