Infineon N Kanal, MOSFET, 365 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IPT
- RS-artikelnummer:
- 259-2732
- Tillv. art.nr:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
63,39 kr
(exkl. moms)
79,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 800 enhet(er) levereras från den 29 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 63,39 kr |
| 10 - 24 | 57,79 kr |
| 25 - 49 | 53,87 kr |
| 50 - 99 | 50,18 kr |
| 100 + | 46,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-2732
- Tillv. art.nr:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 365A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IPT | |
| Kapseltyp | HDSOP | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 168nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 880mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 365A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IPT | ||
Kapseltyp HDSOP | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 168nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 880mV | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPT-serien MOSFET, 100 V maximal drain-source-spänning, 365 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPTC014N10NM5ATMA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med förstärkningsläge som är utformad för högströmsomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är förpackad för kortmontering med låg profil, vilket ger betydande effekthantering för tillämpningar som kräver robust ledning och värmebeständighet.
Funktioner och fördelar:
• Lågt ledningsmotstånd minskar påslagningsförluster för effektiv strömöverföring
• Hög kontinuerlig dräneringsström möjliggör kontinuerlig drift vid hög ström
• 375 W effektförlustkapacitet stöder högeffektsomkopplingsuppgifter
• 168nC grindladdning balanserar drivenergi och omkopplingsdynamik
• Brett arbetstemperaturområde möjliggör användning i extrema miljöer
• Hög kontinuerlig dräneringsström möjliggör kontinuerlig drift vid hög ström
• 375 W effektförlustkapacitet stöder högeffektsomkopplingsuppgifter
• 168nC grindladdning balanserar drivenergi och omkopplingsdynamik
• Brett arbetstemperaturområde möjliggör användning i extrema miljöer
Användningsområden
• Lämplig för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Idealisk för strömförsörjningsutgångsstegen och omvandlare
• Används med batterihantering för kretsar med hög urladdning
• Kan användas för industriella växelriktarsomkopplingsenheter
• Idealisk för strömförsörjningsutgångsstegen och omvandlare
• Används med batterihantering för kretsar med hög urladdning
• Kan användas för industriella växelriktarsomkopplingsenheter
Vilken grindspänningstolerans bör iakttas under drift?
Grinden får inte överskrida en topp på 20 V i förhållande till källan för att undvika skador.
Hur hanterar enheten värmestress under kontinuerlig drift?
Den kan avleda upp till 375 W om lämplig värmehantering och kylning används.
Vilken motståndsprestanda kan förväntas för ledningsförluster?
On-resistansen är specificerad till 1,4 mΩ, vilket definierar låga ledningsförluster under nominella förhållanden.
Vilka extrema temperaturer tål den under förvaring eller användning?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning över ett mycket brett temperaturområde.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 365 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 122 A 150 V, 16 Ben, HDSOP, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 143 A 150 V, 16 Ben, HDSOP, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 408 A 80 V, 16 Ben, HDSOP, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 315 A 100 V Förbättring, HSOF, IPT
- Infineon N Kanal, MOSFET, 279 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IPTC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 354 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IPTC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 396 A 80 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IPTC