Infineon N Kanal, MOSFET, 58 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, BSC

RS-artikelnummer:: 259-1472
Tillv. art.nr:: BSC050NE2LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 58 A 25 V N, 8 Ben, TDSON, BSC

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

12 905,00 kr

(exkl. moms)

16 130,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 08 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	2,581 kr	12 905,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 259-1472
Tillv. art.nr:: BSC050NE2LSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	58A
	Maximal källspänning för dränering Vds	25V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	BSC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	5mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	28W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A
	Maximal källspänning för dränering Vds 25V
	Kapseltyp TDSON
	Serie BSC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 28W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC050NE2LSATMA1

Infineon BSC-serien MOSFET, 25 V maximal drain-source-spänning, 28 W maximal effektförlust – BSC050NE2LSATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanal-omkopplingsenhet som är utformad för tillämpningar med hög ström. Den fungerar i ett omfattande temperaturområde och levereras i ett 8-stifts TDSON-paket för kompakt integrering på kortnivå. Enheten uppfyller RoHS-kraven och är avsedd för energihanteringsroller där låga ledningsförluster och effektiv värmehantering är viktiga.

Funktioner och fördelar:

• 5 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för högströmsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 58 A stöder drift med hög belastning
• 28 W effektförlust möjliggör ökad termisk genomströmning
• 1 V framspänning sänker spänningsfallet under ledning
• Klassificering -55 °C till +150 °C utökar driftstemperaturförmågan

Användningsområden

• Lämplig som SMD-effekt-MOSFET för motorstyrning
• Används med DC-effektsteg som kräver hög ström 58 A MOSFET med 5 mΩ Rds(on)
• Idealisk för kompakta strömomvandlare som använder ytmonterade TDSON MOSFET-transistorer med 25 V
• Kan användas för 28 W MOSFET-omkopplingskretsar med låg Rds(on)

Vilket antal stift och förpackning använder den?

Den levereras i en 8-stifts TDSON-kapsel för ytmontering.

Hur hanterar enheten fordonsspecifikationernas behov?

Den är inte specificerad som en komponent av fordonskvalitet men uppfyller RoHS-miljögränsvärden.

Vilken kanalkonfiguration och polaritet implementeras?

Enheten använder en N-kanalkonfiguration för omkopplingsarrangemang på låg- eller hög-sidan.

Vilka är de termiska gränserna för drift?

Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C.