Infineon N Kanal, MOSFET, 7.7 A 30 V N, 8 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 258-7692
- Tillv. art.nr:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
55,78 kr
(exkl. moms)
69,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 160 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,578 kr | 55,78 kr |
| 100 - 240 | 5,298 kr | 52,98 kr |
| 250 - 490 | 5,096 kr | 50,96 kr |
| 500 - 990 | 4,861 kr | 48,61 kr |
| 1000 + | 3,517 kr | 35,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-7692
- Tillv. art.nr:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 3 M-serien effekt-MOSFET har ultralåg grind- och utgångsladdning, tillsammans med lägsta påslagningsmotstånd i små kapslingar, vilket gör den till det bästa valet för de krävande kraven på spänningsregulatorlösningar i servrar, datakommunikation och telekomtillämpningar.
Ökad batteritid
Enkel att designa i
Minskar effektförluster
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.7 A 30 V N, 8 Ben, TO-252
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V, 3 Ben, TO-252
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben, TO-252
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A N, PG-TO-252, IPD
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRLR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A N, TO-252, IPD
