Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 650 V N, TO-252, IPD
- RS-artikelnummer:
- 258-3852
- Tillv. art.nr:
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
53,54 kr
(exkl. moms)
66,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 068 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 26,77 kr | 53,54 kr |
| 20 - 48 | 22,79 kr | 45,58 kr |
| 50 - 98 | 21,785 kr | 43,57 kr |
| 100 - 198 | 21,28 kr | 42,56 kr |
| 200 + | 20,775 kr | 41,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3852
- Tillv. art.nr:
- IPD60R210PFD7SAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | IPD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie IPD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOS PFD7 superkopplings-MOSFET kompletterar CoolMOS 7-erbjudandet för konsumenttillämpningar. 600 V CoolMOS PFD7 superkopplings-MOSFET i ett TO-252 DPAK-paket har RDS(on) på 210 mOhm vilket leder till låga omkopplingsförluster. Produkterna levereras med en integrerad snabb kroppsdiod som säkerställer en robust enhet. Den snabba kroppsdioden och Infineons branschledande SMD-paket minskar kretskortsutrymmet och i sin tur kundens materialförbrukning. Denna produktfamilj är skräddarsydd för ultrahög effekttäthet samt högsta effektivitet. Produkterna riktar sig främst till laddare med ultrahög densitet, adaptrar och motorstyrningar med låg effekt. 600 V CoolMOS PFD7 erbjuder förbättrad ljus- och fullbelastningseffektivitet jämfört med CoolMOS P7- och CE MOSFET-tekniker, vilket resulterar i en ökning av effekttätheten med 1,8 W/tum3.
Utmärkt motståndskraft vid kommutering
Låg EMI
Brett paketportfölj
Minskade BOM-kostnader och enkel tillverkning
Robusthet och tillförlitlighet
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av design
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 650 V N, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 15.1 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A P, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 2.6 A N, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V N, TO-252, IPD