Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V N, TO-220, IPA

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

28,78 kr

(exkl. moms)

35,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1814,39 kr28,78 kr
20 - 4813,16 kr26,32 kr
50 - 9812,21 kr24,42 kr
100 - 19811,37 kr22,74 kr
200 +10,47 kr20,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
258-3782
Tillv. art.nr:
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Serie

IPA

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

N

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET complements the CoolMOS 7 offering for consumer applications. The CoolMOS PFD7 super junction MOSFET in a TO-220 FullPAK NL package achieves low switching losses, featuring RDS(on) of 360mOhm. The 600V CoolMOS PFD7 comes with an integrated fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material for the customer. This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.

Excellent commutation ruggedness

Low EMI

Broad package portfolio

BOM cost reduction and easy manufacturing

Robustness and reliability

Easy to select the right parts for design fine-tuning

Relaterade länkar