Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 650 V N, TO-220, IPA
- RS-artikelnummer:
- 258-3779
- Tillv. art.nr:
- IPAN60R125PFD7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
911,80 kr
(exkl. moms)
1 139,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 18,236 kr | 911,80 kr |
| 100 - 200 | 15,136 kr | 756,80 kr |
| 250 - 450 | 14,043 kr | 702,15 kr |
| 500 - 950 | 13,494 kr | 674,70 kr |
| 1000 + | 12,947 kr | 647,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3779
- Tillv. art.nr:
- IPAN60R125PFD7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 66A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 66A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 600 V CoolMOS PFD7 superkopplings-MOSFET kompletterar CoolMOS 7-erbjudandet för konsumenttillämpningar. MOSFET i ett TO-220 FullPAK-paket med smal ledning har RDS(on) på 125 mOhm, vilket leder till låga omkopplingsförluster. Produkterna levereras med en snabb kroppsdiod som säkerställer en robust enhet och i sin tur minskad materialfaktura för kunden. Denna produktfamilj är skräddarsydd för ultrahög effekttäthet samt högsta effektivitet. Produkterna riktar sig främst till laddare med ultrahög densitet, adaptrar och motorstyrningar med låg effekt. 600 V CoolMOS PFD7 erbjuder förbättrad ljus- och fullbelastningseffektivitet jämfört med CoolMOS P7- och CE MOSFET-tekniker, vilket resulterar i en ökning av effekttätheten med 1,8 W/tum3.
Brett utbud av RDS(on)-värden
Utmärkt motståndskraft vid kommutering
Låg EMI
Brett paketportfölj
Minskade BOM-kostnader och enkel tillverkning
Robusthet och tillförlitlighet
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av design
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 650 V N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.9 A N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14.1 A N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10.1 A N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 60 V N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V N, TO-220, IPA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 100 V N, TO-220, IPA