Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -78.60 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSC
- RS-artikelnummer:
- 258-0691
- Tillv. art.nr:
- BSC084P03NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
21 840,00 kr
(exkl. moms)
27 300,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 4,368 kr | 21 840,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-0691
- Tillv. art.nr:
- BSC084P03NS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -78.60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.40mΩ | |
| Kanalläge | P | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -78.60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie BSC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.40mΩ | ||
Kanalläge P | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon BSC-serien MOSFET -30 V maximal drain-source-spänning, 8,40 mΩ maximal drain-source-resistans - BSC084P03NS3GATMA1
Denna P-kanal MOSFET är utformad för högströmshantering i kompakta ytmonteringsenheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och levereras i ett TDSON-paket med låg profil för integrering på kortnivå. Enheten är RoHS-kompatibel och konfigurerad för ytmontering med åtta stift, vilket ger en balans mellan termisk tolerans och elektrisk prestanda för olika elektroniska system.
Funktioner och fördelar:
• Maximal dränering-källspänning på 30 V möjliggör 30 V-strömskenor
• Låg Rds(on) på 8,40 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 78,6 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Bred arbetstemperatur på -55 °C till 150 °C för tuffa miljöer
• TDSON-paketet för ytmontering förenklar kompakta kretskortslayouter
• Låg Rds(on) på 8,40 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 78,6 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Bred arbetstemperatur på -55 °C till 150 °C för tuffa miljöer
• TDSON-paketet för ytmontering förenklar kompakta kretskortslayouter
Användningsområden
• Används för omkoppling av högströmslaster i nätaggregat
• Passar för skydd mot omvänd polaritet i batterisystem
• Idealisk för omkopplingsfunktioner i DC-strömfördelning
• Kan användas för lastfrånkoppling i inbyggda styrenheter
• Används med lösningar för värmehantering på kompakta kretskort
• Passar för skydd mot omvänd polaritet i batterisystem
• Idealisk för omkopplingsfunktioner i DC-strömfördelning
• Kan användas för lastfrånkoppling i inbyggda styrenheter
• Används med lösningar för värmehantering på kompakta kretskort
Vilken stiftkonfiguration använder den?
Den levereras i ett 8-stifts TDSON-fotavtryck för ytmontering.
Hur påverkar temperaturen dess arbetsområde?
Den upprätthåller specifik drift från -55 °C upp till 150 °C för breda termiska förhållanden.
Är den lämplig för fordonsspecifikationsnivåer?
Den är inte klassad enligt fordonsstandarder och bör inte specificeras där fordonskvalificering krävs.
Vilken miljööverensstämmelse ingår?
Den uppfyller RoHS-kraven för innehåll av begränsade ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -78.60 A -30 V P, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 68 A 120 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 88 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 57 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 75 V N, 8 Ben, TDSON, BSC
