Infineon N Kanal, MOSFET, 8.3 A 30 V Förbättring, TSOP-6, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9466
Tillv. art.nr:: IRLTS6342TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 8.3 A 30 V Förbättring, TSOP-6, HEXFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 426,00 kr

(exkl. moms)

4 284,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	1,142 kr	3 426,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9466
Tillv. art.nr:: IRLTS6342TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	TSOP-6
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds	17.50mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	11nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	12V
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp TSOP-6
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds 17.50mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRLTS6342TRPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 30 V maximal drain-source-spänning, 8,3 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRLTS6342TRPBF

Denna n-kanalstransistor är utformad för att växla och styra medelstora laster i hålmonteringar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för konstruktioner som kräver ett lågt framsteg och en blygsam effektförlust. Enheten levereras i en TSOP‐6-förpackning med genomgående hål och uppfyller RoHS-restriktioner.

Funktioner och fördelar:

• 17,50 mΩ Rds(on) minskar ledningsförlusterna
• 30 V Vds möjliggör omkoppling vid måttlig spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.3 A med stöd för höga strömbelastningar
• 2 W effektförlust hanterar termisk påfrestning i trånga utrymmen
• 11 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv grindstyrning

Användningsområden

• Lämplig för motorstyrsteg i kompakta system
• Idealisk för strömhantering i industriella styrsystem
• Används med grinddrivare som kräver måttlig laddningshantering
• Kan användas för DC-omkoppling i instrumentering
• Lämpligt för prototypframtagning via hålmonterade kort

Vilket grindspänningsområde kan tillämpas på ett säkert sätt?

Grinden kan drivas upp till 12 V i förhållande till källan.

Vilka temperaturer tål den under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C.

Hur påverkar dess framåtriktade spänning effektiviteten?

Enheten uppvisar en framspänning på 1,3 V som påverkar ledningsförlusten under framspänningsflödet.

Är den avsedd för fordonstillämpningar?

Den är inte klassad som fordonsklass men överensstämmer med RoHS-miljöbegränsningar.