Infineon N Kanal, MOSFET, 8.3 A 30 V Förbättring, TSOP-6, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 426,00 kr

(exkl. moms)

4 284,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,142 kr3 426,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9466
Tillv. art.nr:
IRLTS6342TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TSOP-6

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

17.50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRLTS-serie är en 30V enkanals n-kanals stark IRFET-mosfet i TSOP 6 (Micro 6)-förpackning. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Hög strömförande förmåga i ett litet paket

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.