Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9424
- Tillv. art.nr:
- IRFS3306TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
56,67 kr
(exkl. moms)
70,838 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 738 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 28,335 kr | 56,67 kr |
| 20 - 48 | 25,815 kr | 51,63 kr |
| 50 - 98 | 24,08 kr | 48,16 kr |
| 100 - 198 | 22,625 kr | 45,25 kr |
| 200 + | 20,72 kr | 41,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9424
- Tillv. art.nr:
- IRFS3306TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 160A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.2mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 230W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 160A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.2mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 230W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFS-serie är en 60 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en D2 Pak-kapsel.
Förbättrad grind, avalanche och dynamisk dV/dt-tålighet
Fullständigt karakteriserad kapacitans och avalanche SOA
Förbättrad kroppsdiod dV/dt- och dI/dt-kapacitet utan bly
RoHS-kompatibel, halogenfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 60 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V, TO-263, HEXFET