Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras i ett rör)*

1 061,80 kr

(exkl. moms)

1 327,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 165 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 12021,236 kr
125 - 24519,78 kr
250 - 49518,524 kr
500 +17,092 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9360P
Tillv. art.nr:
IRFB7440PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

2.50mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 120 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB7440PBF


Denna MOSFET är en N-kanalsomkopplingsenhet med genomgående hål som är utformad för tillämpningar med hög strömstyrka. Den fungerar i ett brett temperaturområde och uppfyller RoHS-miljöbestämmelser. Kapseln underlättar montering på kylflänsytor för hantering av effektförlust och diskret montering i konventionella kretsar.

Funktioner och fördelar:


• 2,50 mΩ låg Rds(on) för minskade ledningsförluster
• 40 V drain-source-gräns som möjliggör medelspänningssystem
• 120 A kontinuerlig strömhantering för långvariga belastningar
• Förbättringskanal för enkel gate-drift
• 1,3 V framåtvänd spänning som stöder effektiv kroppsdiodledning

Användningsområden


• Lämplig för användning av högströms-MOSFET i strömförsörjningar
• Idealisk för MOSFET:er i motordrivkretsar (40 V, 120 A)
• Används med TO‐220 genomgående hål N‐kanal MOSFET 40 V-layouter
• Kan användas som ersättning för HEXFET 2.5 mΩ MOSFET med låg Rds(on)
• Används i kretsar som kräver högtemperatur-MOSFET-drift (-55 °C till 175 °C)

Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?


Den fungerar i temperaturer från -55 °C till 175 °C och täcker lågtemperaturstarter och högtemperaturdrift.

Vilken monteringsmetod krävs för värmehantering?


Den levereras i en TO‐220-förpackning med genomgående hål avsedd för montering på externa kylelement eller chassi.

Vilken typ av kanal och switchläge använder den?


Enheten är en N-kanalförstärkningstransistor som kräver en gate-source-enhet för att leda.

Är den lämplig för fordonskvalificerade installationer?


Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas mot fordonsspecifika krav.

Uppfyller den kraven i miljödirektivet?


Den är RoHS-kompatibel, vilket indikerar begränsning av vissa farliga ämnen.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.