Infineon N Kanal, MOSFET, 67 A 60 V, Micro8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4800 enheter)*

45 144,00 kr

(exkl. moms)

56 428,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4800 +9,405 kr45 144,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
257-9297
Tillv. art.nr:
IRF6674TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

67A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

Micro8

Serie

HEXFET

Maximal drain-källresistans Rds

11mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

89W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRF-serie är en 60 V enkel n-kanal stark IRFET-effektmosfet i ett direkt FET mx-paket. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Högströmsklassning

kylkapacitet på dubbelsidan

Låg kapslingshöjd på 0,7 mm

Låg parasitisk (1 till 2 nH) induktanspaket

100 % blyfri (inget RoHS-undantag)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.