Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9268
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-513
- Tillv. art.nr:
- IRF1018ESTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
67,31 kr
(exkl. moms)
84,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 455 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 3 200 enhet(er) från den 05 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,462 kr | 67,31 kr |
| 50 - 120 | 11,984 kr | 59,92 kr |
| 125 - 245 | 11,312 kr | 56,56 kr |
| 250 - 495 | 10,506 kr | 52,53 kr |
| 500 + | 9,676 kr | 48,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9268
- Distrelec artikelnummer:
- 304-40-513
- Tillv. art.nr:
- IRF1018ESTRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 79A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.4mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 79A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.4mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRF-serie är en 60 V HEXFET-kraftmosfet med en enda n-kanal i D2 Pak-förpackning.
Förbättrad robusthet för grindar, laviner och dynamisk dv/dt
Fullständigt karakteriserad kapacitans och avalanche SOA
Förbättrad kapacitet för dioden i kroppen för dV/dt och dI/dt
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 79 A 60 V, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 185 A, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 173 A 60 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V, TO-220, HEXFET