Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263, IRF740AS
- RS-artikelnummer:
- 256-7276
- Tillv. art.nr:
- IRF740ASPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
987,85 kr
(exkl. moms)
1 234,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 850 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 19,757 kr | 987,85 kr |
| 100 - 450 | 16,22 kr | 811,00 kr |
| 500 - 950 | 13,612 kr | 680,60 kr |
| 1000 + | 11,756 kr | 587,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 256-7276
- Tillv. art.nr:
- IRF740ASPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | IRF740AS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.55Ω | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie IRF740AS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.55Ω | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRF740AS-serien effekt-MOSFET, 400 V drain-källspänning, 125 W effektförlust - IRF740ASPBF
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar. Den är avsedd för användning där robust omkoppling av höga avtappningsspänningar krävs och fungerar i ett brett temperaturområde för krävande termiska miljöer.
Funktioner och fördelar:
• 400 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0.55 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster i omkopplingssteg
• 125 W effektförlust möjliggör betydande termisk genomströmning
• 36 nC typisk grindladdning underlättar kontrollerade omkopplingsövergångar
• 10 V grindtolerans passar vanliga drivspänningsarkitekturer
• Kontinuerlig dräneringsström på 10 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0.55 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster i omkopplingssteg
• 125 W effektförlust möjliggör betydande termisk genomströmning
• 36 nC typisk grindladdning underlättar kontrollerade omkopplingsövergångar
• 10 V grindtolerans passar vanliga drivspänningsarkitekturer
Användningsområden
• Lämplig för switchade nätaggregat i industriella system
• Idealisk för motordrivare med hög spänning, frontändar
• Används för strömomvandling i växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för extra strömskenor i telekomutrustning
• Används i högspänningskopplingskretsar för allmänna ändamål
• Idealisk för motordrivare med hög spänning, frontändar
• Används för strömomvandling i växelriktare för förnybar energi
• Kan användas för extra strömskenor i telekomutrustning
• Används i högspänningskopplingskretsar för allmänna ändamål
Vilken typ av förpackning bör jag förutse för kortlayout?
Den levereras i en TO-263-kapsel avsedd för ytmontering, vilket möjliggör värmeavledning via kretskortet och möjliggör större strömvägar.
Vilka omgivningstemperaturer tål enheten under drift?
Transistorn är klassad för att fungera över ett drifttemperaturområde från -55 °C upp till +150 °C, och passar både lågtemperaturstarter och förhöjda termiska förhållanden.
Hur påverkar grinddrivningen omkopplingsprestanda?
Med en typisk grindladdning på 36 nC vid en 10 V grinddrivning bör krav på omkopplingshastighet och grinddrivarström balanseras för att hantera övergångsförluster och EMI.
Vilken typ av ledningsförmåga använder enheten för omkoppling?
Den använder en N-kanalkonduktionskanal, lämplig för låg- och högsidiga arrangemang beroende på kretstopologi.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263, IRF740AS
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF740A
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF740
- Vishay N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 10 A 400 V, 3 Ben, TO-263
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 10 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF740S
- Vishay N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 500 V, TO-263
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 24 A 650 V, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 15 A 600 V, 3 Ben, TO-263, E