ROHM N Kanal, MOSFET, 51 A 750 V Förbättring, 7 Ben, TO-263 AEC-Q101

Få en mängdrabatt

Lägg till 100 till för att spara 1 680,00 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

7 353,00 kr

(exkl. moms)

9 191,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Besparing
50 - 99147,06 kr-
100 - 249130,26 kr1 680,00 kr
250 - 499121,07 kr6 497,50 kr
500 +115,02 kr16 020,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
255-7724P
Tillv. art.nr:
SCT4026DW7HRTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHMs SiC-effekt-MOSFET med N-kanal i fordonskvalitet är en AEC-Q101-kvalificerad produkt. Denna effekt-MOSFET är tillämplig i en bil och switchade nätaggregat. Den är blyfri plätering och är RoHS-kompatibel.

Låg på-resistans

Snabb kopplingshastighet

Snabb omvänd återhämtning

Enkel att parallellkoppla

Enkel att driva

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.