ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, HSOP-8, RS6L120BG AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 878,75 kr

(exkl. moms)

2 348,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 54 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9837,575 kr
100 - 24828,95 kr
250 - 99828,225 kr
1000 +25,93 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
255-7717P
Tillv. art.nr:
RS6L120BGTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

HSOP-8

Serie

RS6L120BG

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM N-kanals 60 V 150 A effekt-MOSFET är blyfri plätering, RoHS-kompatibel enhet.

Låg påslagningsresistans

Högeffektspaket (HSOP8)

Halogenfria

100 % Rg- och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.