ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, HSOP-8, RS6L120BG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 255-7715
- Tillv. art.nr:
- RS6L120BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
42 132,50 kr
(exkl. moms)
52 665,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 16,853 kr | 42 132,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 255-7715
- Tillv. art.nr:
- RS6L120BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | RS6L120BG | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie RS6L120BG | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals 60 V 150 A effekt-MOSFET är blyfri plätering, RoHS-kompatibel enhet.
Låg påslagningsresistans
Högeffektspaket (HSOP8)
Halogenfria
100 % Rg- och UIS-testad
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, HSOP-8, RS6L120BG AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1P600BH AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 60 A 150 V Förbättring, HSOP-8S, RS6R060BH AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 40 V Förbättring, TSMT-8, RQ7L055BG AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, SOT, BSS84WAHZG AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8S, RS6P100BH AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 210 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6