ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, HSOP-8, RS6L120BG AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
255-7715
Tillv. art.nr:
RS6L120BGTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

HSOP-8

Serie

RS6L120BG

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM N-kanals 60 V 150 A effekt-MOSFET är blyfri plätering, RoHS-kompatibel enhet.

Låg påslagningsresistans

Högeffektspaket (HSOP8)

Halogenfria

100 % Rg- och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.