DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8652
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H032LFVWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
13 086,00 kr
(exkl. moms)
16 356,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,362 kr | 13 086,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8652
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H032LFVWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerDI3333-8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerDI3333-8 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, stöds av en PPAP, och är idealisk för användning i bakgrundsbelysning, DC-till-DC-omvandlare och strömhanteringsfunktioner
Låg påslagningsresistans
Våt bordsflank för förbättrad optisk inspektion
Låga omkopplingsförluster
Halogen- och antimonfritt
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 8.7 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 49.1 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8