DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
254-8651P
Tillv. art.nr:
DMTH10H032LFVW-7
Tillverkare / varumärke:
DiodesZetex
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

DiodesZetex

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

12V

Kapseltyp

PowerDI3333-8

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

41mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal effektförlust Pd

1.73W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.3mm

Höjd

0.8mm

Längd

3.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är tillämpligt i DC-till-DC-omvandlare och strömförsörjning

Låg påslagningsresistans

Våt bordsflank för förbättrad optisk inspektion

Låga omkopplingsförluster

Halogen- och antimonfritt

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.