Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 5 A 20 V, WSON
- RS-artikelnummer:
- 252-8493
- Tillv. art.nr:
- CSD85301Q2T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 252-8493
- Tillv. art.nr:
- CSD85301Q2T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Texas Instruments | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | WSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Texas Instruments | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp WSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Relaterade länkar
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 20 V, WSON
- Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 20 A 20 V Förbättring, 6 Ben, WSON, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, Picostar YSE 6
- Texas Instruments 1 Typ N, Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 100 V N, 8 Ben, WSON, BSC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 60 V N, 8 Ben, WSON, BSC
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 2.1 A 12 V Förbättring, PICOSTAR AEC-Q101
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, DSBGA AEC-Q101