Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- RS-artikelnummer:
- 249-6921
- Tillv. art.nr:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
94,75 kr
(exkl. moms)
118,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 725 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 18,95 kr | 94,75 kr |
| 50 - 120 | 17,046 kr | 85,23 kr |
| 125 - 245 | 15,972 kr | 79,86 kr |
| 250 - 495 | 14,828 kr | 74,14 kr |
| 500 + | 13,82 kr | 69,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-6921
- Tillv. art.nr:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | N | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Transistorkonfiguration | Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge. | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge N | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Transistorkonfiguration Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge. | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS är en effekt-MOSFET för fordonstillämpningar. Driftkanalen är N. Den är AEC Q101-kvalificerad. MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning. Grön produkt (RoHS-kompatibel) och den är 100 % Avalanche-testad.
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6,
- Infineon Typ N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 100 V Dubbel N, 8 Ben, TDSON,
- Infineon Dubbel N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON,
- Infineon Typ N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 60 V, TDSON, IPG20N06S4L-11 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Logic Level Enhancement-läge., MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON,
- Infineon 2 Typ N Kanal Dual N Channel Normal nivå, MOSFET, 20 A 60 V Dubbel N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPG20N06S4-15A
- ROHM QH8MA3 Dual N/P-Channel MOSFET, 5.5 (P Channel) A, 7 (N Channel) A, 30 V, 8-Pin TSMT QH8MA3TCR
- ROHM QS8K13 Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V, 8-Pin TSMT QS8K13TCR