ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras i ett rör)*

1 081,90 kr

(exkl. moms)

1 352,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 965 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
50 - 9521,638 kr
100 - 24520,384 kr
250 - 49519,936 kr
500 +17,428 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-1140P
Tillv. art.nr:
RX3L07BGNC16
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-220AB

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM N-kanals effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och snabb omkoppling, lämplig för omkopplingstillämpningar, har 60 V dränering-källspänning och 70 A dräneringsström, rörförpackningstyp.

Låg på-resistans

RoHS-kompatibel

Blyfri plätering

100 procent UIS-testad

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.