ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RCJ451N20

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 766,75 kr

(exkl. moms)

2 208,45 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 56 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 9835,335 kr
100 - 24833,545 kr
250 - 49832,87 kr
500 +28,895 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-1134P
Tillv. art.nr:
RCJ451N20TL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-263

Serie

RCJ451N20

Typ av fäste

Ytmontering

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal effektförlust Pd

104W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM N-kanals effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och snabb omkoppling, lämplig för omkopplingstillämpningar, har 200 V avtappning-källspänning och 45 A avtappningsström, tejpförpackningstyp.

Låg på-resistans

Snabb kopplingshastighet

Parallell användning är enkel

Blyfri plätering

RoHs-kompatibel

100-procentigt lavintestat

Drivkretsar kan vara enkla

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.