Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

299,04 kr

(exkl. moms)

373,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 83 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1299,04 kr
2 - 4284,14 kr
5 - 9270,03 kr
10 - 14256,26 kr
15 +243,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-8931
Tillv. art.nr:
C3M0040120K
Tillverkare / varumärke:
Wolfspeed
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Wolfspeed

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

94nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

469W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

23.63mm

Höjd

5.21mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology is in N-Channel Enhancement Mode. The Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs is a range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency

3rd generation SiC MOSFET technology

Low impedance package with driver source pin

8mm of creepage distance between drain and source

High blocking voltage with low on-resistance

High-speed switching with low capacitances

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Halogen free, RoHS compliant

Relaterade länkar