Wolfspeed N Kanal, MOSFET, 10.7 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, TO-247

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 2 enheter (levereras i ett rör)*

797,88 kr

(exkl. moms)

997,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
2 - 4398,94 kr
5 - 9379,12 kr
10 - 14359,74 kr
15 +341,82 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-8925P
Tillv. art.nr:
C3M0021120K
Tillverkare / varumärke:
Wolfspeed
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Wolfspeed

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

21mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

469W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

15V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

162nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

16.13mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

23.63mm

Höjd

5.21mm

Fordonsstandard

Nej

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET-tekniken är i N-kanalförbättringsläge. Wolfspeed Z-FetTM, C2MTM & C3MTM Silicon Carbide Power MOSFETs är en serie andra generationens SiC MOSFETs från Cree’s power division Wolfspeed som levererar branschledande effekttäthet och växlingseffektivitet. Dessa enheter med låg kapacitet möjliggör högre omkopplingsfrekvenser och har lägre kylkrav som förbättrar systemets övergripande driftseffektivitet

3:e generationens SiC MOSFET-teknik

Lågimpedanshölje med drivrutinstift

8 mm krypavstånd mellan avlopp och källa

Hög blockeringsspänning med lågt motstånd under drift

Höghastighetsomkoppling med låga kapaciteter

Snabb intrinsisk diod med låg omvänd återhämtning (Qrr)

Halogenfri, RoHS-kompatibel

Relaterade länkar