Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 75 V N, 4 Ben, TO-247, IMZA
- RS-artikelnummer:
- 248-6674
- Tillv. art.nr:
- IMZA120R007M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
516,54 kr
(exkl. moms)
645,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 516,54 kr |
| 2 - 4 | 490,67 kr |
| 5 - 9 | 469,95 kr |
| 10 - 19 | 449,46 kr |
| 20 + | 428,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-6674
- Tillv. art.nr:
- IMZA120R007M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 225A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | IMZA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 225A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie IMZA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolSiC 1200 V, 7 mΩ SiC MOSFET i TO247-4-paket bygger på en toppmodern trench-halvledarprocess som optimerats för att kombinera prestanda med tillförlitlighet. Dessa inkluderar de lägsta gate-laddnings- och enhetskapacitansnivåerna som ses i 1200 V-switchar, inga omvända återställningsförluster för den interna kommutationssäkra kroppsdioden, temperaturoberoende låga omkopplingsförluster och tröskelfri påslagningsegenskaper. CoolSiC MOSFET:erna är idealiska för hårda och resonanta omkopplingstopologier som effektfaktorkorrigering (PFC) kretsar, dubbelriktade topologier och DC-DC-omvandlare eller DC-AC-omvandlare.
VDSS – 1 200 V vid T – 25 °C
IDCC - 225 A vid T - 25 °C
RDS(on) – 7 mohm vid VGS – 18 V, T – 25 °C
Mycket låga omkopplingsförluster
Tröskelspänning för referensgrind, VGS(th) - 4,2 V
Robust mot parasitisk påslagning, 0 V avstängningsgrindspänning kan appliceras
Robust husdiod för hård omkoppling
XT-anslutningsteknik för klassens bästa termiska prestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 75 V N, 4 Ben, TO-247, IMZA
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 75 V N, 3 Ben, TO-247, IMW
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 209 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 75 V P, 3 Ben, TO-247, IMW
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET 1200 V N, TO-247
- Infineon 1 Typ N, Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 355 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C7