onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1.2 kV Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTM AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-5822
Tillv. art.nr:
NTMFS002N10MCLT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

58A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Serie

NTM

Kapseltyp

DFN-5

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22V

Maximal effektförlust Pd

117W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

ON Semiconductor MOSFET är en N-kanal MOSFET med 100 V drain-till-källspänning, RDS(ON) 2,8 mohm och kontinuerlig dräneringsström 175 A. Dessutom är dessa enheter Pb-fria, halogenfria/BFR-fria, berylliumfria och är RoHS-kompatibla.

Litet fotavtryck (5 x 6 mm) för kompakt design

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg QG och kapacitans för att minimera drivförluster

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.